مهندسی عمران ایران

مطالب عمومی مهندسی عمران معماری شهرسازی

مهندسی عمران ایران

مطالب عمومی مهندسی عمران معماری شهرسازی

آزمایش اندازه گیری نیروی محرکه القایی تولید شده در سیم لوله با میدان متغیر

تئوری آزمایش

ولتاژ و جریانی که در اثر تغییرات میدان مغناطیسی حاصل می­شود نیروی محرکه و جریان القایی نامیده می­شود و پدیده­ای که منجر به تولید این کمیت­ها می­باشد القای الکترومغناطیسی نامیده می­شود. اگر حلقه رسانایی درون میدان مغناطیسی B قرار گیرد شار مغناطیسی که از درون این حلقه می­گذرد عبارت است از:

(1)

که در این رابطه A مساحت حلقه است. در اینجا فرض شده است که سطح حلقه بر میدان مغناطیسی عمود است.

اگر میدان B ثابت بماند شار  ثابت می­ماند. وقتی که میدان مغناطیسی و در نتیجه شار گذرنده از درون سیم­پیچ با زمان تغییر کند، نیروی محرکه و در اثر آن جریان القایی در سیم­پیچ ایجاد می­شود. بزرگی و جهت آن بر اساس قانون فارادی عبارت است از:

(2)

هر گاه سیم­پیچ از N1 حلقه تشکیل شده باشد آنگاه خواهیم داشت:

(3)

 و به این ترتیب در می­یابیم که می­توان با تغییر میدان مغناطیسی جریان القایی تولید کرد.

وقتی که جریان I در سیم­پیچ بزرگ بر قرار باشد میدان مغناطیسی حاصل از عبور جریان I که در درون سیم­پیچ بزرگ ایجاد می­شود عبارت است از:

(4)

در این رابطه N2 تعداد دورهای سیم لوله بزرگ و L طول آن است و  ضریب نفوذ پذیری میدان مغناطیسی است.

در این آزمایش از سیم­پیچ بزرگ به عنوان مولد میدان مغناطیسی اولیه استفاده می­شود که با عبور جریان متغیر با زمان I(t)، در درون آن می­توان یک میدان متغیری ایجاد کرد. جریان متغیر در این آزمایش توسط یک منبع تغذیه که می­تواند یک تابع موج مثلثی ایجاد کند تأمین می­شود و می­توان خروجی آن را کنترل کرد. این دستگاه می­تواند در بازه 2/0 تا 2/2 آمپر بر ثانیه کار کند.

نیروی محرکه U القا شده هر یک از این سیم­پیچ­ها از رابطه زیر به دست می­آید.

(5)

بنابراین نیروی محرکه القایی با آهنگ تغییر جریان  متناسب است.

شرح آزمایش

آزمایش اول: نیروی محرکه القایی بر حسب تابعی از سطح مقطع

خروجی منبع نزدیک 3 آمپر و آهنگ تغییر جریان روی 1 آمپر بر ثانیه قرار داده شد. سپس دکمه ON/OFF فعال شد و به کمک نرم افزار Cassy تغییرات جریان در سیم­پیچ اولیه و نمودار تغییرات ولتاژ در سیم­پیچ ثانویه استخراج شدند و در بازه­های مناسب رسم گردیدند.

نتایج زیر برای هر یک از سیم­پیچ­ها در جدول زیر ثبت گردیدند.

جدول1

U (V)

Imax

سطح مقطع سیم­پیچ

008/1

297/0

901/2

50×50

009/1

1555/0

919/2

50×30

006/1

1125/0

9085/2

50×20

 

 

 

آزمایش دوم: ولتاژ القایی به صورت تابعی از تعداد حلقه­ها

در این آزمایش از سیم­پیچی با مقطع 50×50 میلیمتر که دو دسته با سیم­پیچ با دورهای 100 دور و 200 دور دارد استفاده شد. در هر مرحله یکی از آنها مورد استفاده قرار گرفتند. در این حالت جریان خروجی مولد نزدیک 3 آمپر و  بر روی 1 آمپر بر ثانیه قرار داده شد.

نتایج در جدول2 آورده شده­اند.

جدول2

U

Imax

تعداد دور سیم­پیچ

008/1

097/0

892/2

100

005/1

197/0

913/2

200

008/1

297/0

901/2

300

 

آزمایش سوم: ولتاژ القایی به صورت تابعی از فرکانس تغییرات میدان

از آنجایی که میدان مغناطیسی توسط جریان گذرنده از سیم­پیچ بزرگ تأمین می­شود و این جریان از منبع موج مثلثی به دست می­آید با تغییر میدان می­توان نیروی محرکه القا شده در سیم­پیچ ثانویه را تغییر داد. در این حالت از سیم­پیچ با مقطع 50×50 میلیمتر با 300 دور استفاده شد. آزمایش با فرکانس­های مختلف تکرار شد و نتایج در جدول 3 ثبت شدند.

جدول3

U

Imax

22/0

9145/2

8/0

29/0

901/2

1

34/0

892/2

2/1

47/0

8905/2

6/1

 

رسم نمودار ولتاژ بر حسب سطح مقطع (داده­های جدول 1):

رسم نمودار ولتاژ بر حسب تغییرات تعداد دور سیم­پیچ ثانویه (داده­های جدول 2):

 

 

رسم نمودار ولتاژ بر حسب  (داده­های جدول3):

 

به دست آوردن رابطه 5: