مهندسی عمران ایران

مطالب عمومی مهندسی عمران معماری شهرسازی

مهندسی عمران ایران

مطالب عمومی مهندسی عمران معماری شهرسازی

آزمایش بررسی اثر هال در مس و تنگستن

تئوری:      

اگر یک صفحه فلزی یا نیمه­رسانا در داخل یک میدان مغناطیسی قرار گیر د و از داخل صفحه جریانی بگذرد، یک اختلاف پتانسیل در بین دو سطح عمود بر محور سوم در صفحه ایجاد      می­شود. این پدیده، پدیده هال خوانده  می­شود.

شکل.1.

بار متحرک که حامل جریان است، در اثر نیروی لورنتس وارده به آن به وسیله میدان مغناطیسی، منحرف می­شود. مقدار این نیرو عبارت است از:

1-1

     

اگر رسانایی صفحه به صورت الکترونیکی باشد(به وسیله حرکت الکترون­ها باشد)، الکترون­ها در جهت خلاف جهت جریان حرکت می­کنند و بنابراین با توجه به فرمول بالا، الکترون­ها به سمت صفحه A منحرف شده و در سطح آن بار منفی جمع می­شود.

 اگر رسانایی صفحه به دلیل حرکت حفره­ها باشد،  حفره­ها در جهت موافق با جریان حرکت می­کنند بنابراین جهت بردار  در فرمول برعکس می­شود، ولی با توجه به اینکه علامت بار نیز عوض شده، جهت نیروی لورنتس باز هم به سمت صفحه A خواهد بود. بنابراین در سطح صفحه A بار مثبت جمع می­شود.

انحراف بارهای داخل صفحه تا هنگامی که میدان الکتریکی تولید شده به وسیله آنها با نیروی لونتس برابر شود، ادامه می­یابد. پس از آن بارها منحرف نخواهند شد.

شرط برقراری تعادل در فرمول زیر نشان داده شده است.

1-2

از علامت اختلاف پتانسیل هال می­توان به نوع رسانش ماده پی برد. همچنین با داشتن اندازه اختلاف پتانسیل هال می­توان تعداد حاملین بار را بدست آورد.

همان­طور که گفته شد در حالت تعادل داریم: E=BV

بنابراین اختلاف پتانسیل میان دو صفحه A و B برابر است با:

1-3

از طرف دیگر داریم:

1-4

 که q بار الکتریکی هر حامل بار، n تعداد حاملین بار، A سطح مقطع (ab)، I جریان عبوری (عرضی) و V سرعت حاملین بار است.

پس از جایگزاری در فرمول داریم:

1-5

 ضریب هال نامیده می­شود و علامت آن نماینده نوع رسانایی است (منفی برای رسانایی به وسیله الکترون­ها و مثبت برای رسانایی به وسیله حفره­ها). با داشتن اختلاف پتانسیل بین دو صفحه جریان، شدت میدان مغناطیسی و ضخامت صفحه می­توان RH را محاسبه کرد.

شرح آزمایش:

آزمایش بررسی اثر هال برای دو صفحه مختلف از جنس­های مس و تنگستن انجام شد:

1)      آزمایش بررسی اثر هال در مورد صفحه تنگستن:

 ابتدا صفحه تنگستنی در داخل دستگاه قرار داده شد و پس از روشن کردن دستگاه­های مولد جریان IQ (جریان عرضی) و IB (جریان تولیدکننده میدان مغناطیسی) و ریست کردن دستگاه میکرو ولت متر، جریان عرضی برروی مقدار ثابت IQ=5A قرار داده شد. سپس IB از 0 با فواصل A5/0 تا 4A افزایش داده شد و مقادیر UH مربوطه در جدول 2 یادداشت شد.

در مرحله بعد IB روی 4 آمپر قرار داده شد و IQ از صفر تا 5 آمپر با فواصل 5/0 آمپر افزایش داده شد و مقادیر UH مربوطه به دست آمده، در جدول 3 یادداشت شد.

2)     آزمایش بررسی اثر هال در مورد صفحه مسی:

پس از گذشت 5 دقیقه از آزمایش اول، صفحه مسی در دستگاه قرار داده شد. در این مورد برعکس حالت قبل IB ثابت و IQ متغییر در نظر گرفته شد، یعنی در واقع میدان مغناطیسی را ثابت در نظر گرفته و میزان جریان عرضی متغییر است.

پس از ریست کردن دستگاه میکروولتمتر برروی دقت  4-10 و سپس قرار دادن آن روی دقت5-10، IB به میزان ثابت 3A رسانیده شد و IQ از 0 تا A5 به فاصله A5/0 افزایش داده شد. مقادیر به دست آمده UH در جدول 4 آورده شده­اند.

سپس IB و  IQ به میزان 0 رسانیده شده و میکروولتمتر دوباره ریست شد (روی دقت  -410) و پس از قرار دادن آن روی دقت  5-10، IB به مقدار ثابت A4 رسانیده شده و دوباره IQ از 0 تا A5 با فواصل A5/0 افزایش یافت. نتایج UH به دست آمده در جدول 5 نشان داده شده است.

به دلیل نوسان داشتن اعداد خوانده شد از روی میکروولتمتر در دقت 5-10، از میانگین این اعداد استفاده شد. برای به­دست آوردن شدت میدان از روی IB به دلیل نبودن تسلامتر از جدول 1 استفاده شد.

 

جدول 1

IB  (A)

0

 

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

B (T)

0

 

0.118

0.200

0.295

0.374

0.455

0.520

0.585

0.630

0.665

0.695

 

 

 

 

 

 

 

 

 

جداول ونمودارها و نتایج:

(1نتایج به دست آمده برای آزمایش اول(تنگستن):

الف)جدول داده های به دست آمده از آزمایش:

جدول 2

UH (µV)

IB (A)

B (T)

406

0

0

405

5/0

118/0

404

1

200/0

403

5/1

295/0

402

2

374/0

402

5/2

455/0

401

3

520/0

401

5/3

585/0

401

4

630/0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

نمودار UH vs IB:(IQ=5A)

Text Box: UH (µV)

IB (A)

 

نمودار B بر حسب UH:

Text Box: UH (µV)

 

ب) IB=4 A و IQ متغیر از صفر تا 5 آمپر

جدول 3

UH (µV)

IQ (A)

0

0

45

5/0

81

1

124

5/1

160

2

200

5/2

243

3

285

5/3

321

4

363

5/4

401

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

نمودار حاصل از نتایج این آزمایش و محاسبه :

Text Box: UH (µV)

IQ (A)

 

 

 

 

 

(2نتایج به دست آمده برای آزمایش دوم(مس):

الف)جدول داده های به دست آمده از آزمایش:

جدول 4

 

جدول 5

IB=4A , B=0/630T

 

IB=3A , B=0/53T

UH (µV)

IQ (A)

 

UH (µV)

IQ (A)

0

0

 

0

0

9

5/0

 

10

5/0

22

1

 

22

1

34

5/1

 

34

5/1

46

2

 

47

2

62

5/2

 

60

5/2

71

3

 

72

3

84

5/3

 

84

5/3

98

4

 

96

4

109

5/4

 

110

5/4

122

5

 

123

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ب)نمودار UH vs IQ:(IB=4A)

Text Box: UH (µV)

IQ (A)

 

 

ج)نمودار UH vs IQ:(IB=3A)

IQ (A)

 
Text Box: UH (µV)

برای IQ=4 A:

 

برای IQ=5 A:

نظرات 0 + ارسال نظر
برای نمایش آواتار خود در این وبلاگ در سایت Gravatar.com ثبت نام کنید. (راهنما)
ایمیل شما بعد از ثبت نمایش داده نخواهد شد