تئوری:
اگر یک صفحه فلزی یا نیمهرسانا در داخل یک میدان مغناطیسی قرار گیر د و از داخل صفحه جریانی بگذرد، یک اختلاف پتانسیل در بین دو سطح عمود بر محور سوم در صفحه ایجاد میشود. این پدیده، پدیده هال خوانده میشود.
|
شکل.1. |
بار متحرک که حامل جریان است، در اثر نیروی لورنتس وارده به آن به وسیله میدان مغناطیسی، منحرف میشود. مقدار این نیرو عبارت است از:
1-1 |
|
اگر رسانایی صفحه به صورت الکترونیکی باشد(به وسیله حرکت الکترونها باشد)، الکترونها در جهت خلاف جهت جریان حرکت میکنند و بنابراین با توجه به فرمول بالا، الکترونها به سمت صفحه A منحرف شده و در سطح آن بار منفی جمع میشود.
اگر رسانایی صفحه به دلیل حرکت حفرهها باشد، حفرهها در جهت موافق با جریان حرکت میکنند
بنابراین جهت بردار در فرمول برعکس میشود، ولی با توجه به اینکه
علامت بار نیز عوض شده، جهت نیروی لورنتس باز هم به سمت صفحه A خواهد بود. بنابراین در سطح صفحه A بار مثبت جمع میشود.
انحراف بارهای داخل صفحه تا هنگامی که میدان الکتریکی تولید شده به وسیله آنها با نیروی لونتس برابر شود، ادامه مییابد. پس از آن بارها منحرف نخواهند شد.
شرط برقراری تعادل در فرمول زیر نشان داده شده است.
1-2 |
|
از علامت اختلاف پتانسیل هال میتوان به نوع رسانش ماده پی برد. همچنین با داشتن اندازه اختلاف پتانسیل هال میتوان تعداد حاملین بار را بدست آورد.
همانطور که گفته شد در حالت تعادل داریم: E=BV
بنابراین اختلاف پتانسیل میان دو صفحه A و B برابر است با:
|
1-3 |
از طرف دیگر داریم:
1-4 |
|
که q بار الکتریکی هر حامل بار، n تعداد حاملین بار، A سطح مقطع (ab)، I جریان عبوری (عرضی) و V سرعت حاملین بار است.
پس از جایگزاری در فرمول داریم:
|
1-5 |
ضریب هال نامیده میشود و علامت آن نماینده نوع
رسانایی است (منفی برای رسانایی به وسیله الکترونها و مثبت برای رسانایی به وسیله
حفرهها). با داشتن اختلاف پتانسیل بین دو صفحه جریان، شدت میدان مغناطیسی و ضخامت
صفحه میتوان RH را محاسبه کرد.
شرح آزمایش:
آزمایش بررسی اثر هال برای دو صفحه مختلف از جنسهای مس و تنگستن انجام شد:
1) آزمایش بررسی اثر هال در مورد صفحه تنگستن:
ابتدا صفحه تنگستنی در داخل دستگاه قرار داده شد و پس از روشن کردن دستگاههای مولد جریان IQ (جریان عرضی) و IB (جریان تولیدکننده میدان مغناطیسی) و ریست کردن دستگاه میکرو ولت متر، جریان عرضی برروی مقدار ثابت IQ=5A قرار داده شد. سپس IB از 0 با فواصل A5/0 تا 4A افزایش داده شد و مقادیر UH مربوطه در جدول 2 یادداشت شد.
در مرحله بعد IB روی 4 آمپر قرار داده شد و IQ از صفر تا 5 آمپر با فواصل 5/0 آمپر افزایش داده شد و مقادیر UH مربوطه به دست آمده، در جدول 3 یادداشت شد.
2) آزمایش بررسی اثر هال در مورد صفحه مسی:
پس از گذشت 5 دقیقه از آزمایش اول، صفحه مسی در دستگاه قرار داده شد. در این مورد برعکس حالت قبل IB ثابت و IQ متغییر در نظر گرفته شد، یعنی در واقع میدان مغناطیسی را ثابت در نظر گرفته و میزان جریان عرضی متغییر است.
پس از ریست کردن دستگاه میکروولتمتر برروی دقت 4-10 و سپس قرار دادن آن روی دقت5-10، IB به میزان ثابت 3A رسانیده شد و IQ از 0 تا A5 به فاصله A5/0 افزایش داده شد. مقادیر به دست آمده UH در جدول 4 آورده شدهاند.
سپس IB و IQ به میزان 0 رسانیده شده و میکروولتمتر دوباره ریست شد (روی دقت -410) و پس از قرار دادن آن روی دقت 5-10، IB به مقدار ثابت A4 رسانیده شده و دوباره IQ از 0 تا A5 با فواصل A5/0 افزایش یافت. نتایج UH به دست آمده در جدول 5 نشان داده شده است.
به دلیل نوسان داشتن اعداد خوانده شد از روی میکروولتمتر در دقت 5-10، از میانگین این اعداد استفاده شد. برای بهدست آوردن شدت میدان از روی IB به دلیل نبودن تسلامتر از جدول 1 استفاده شد.
جدول 1
IB (A) |
0
|
0.5 |
1 |
1.5 |
2 |
2.5 |
3 |
3.5 |
4 |
4.5 |
5 |
B (T) |
0
|
0.118 |
0.200 |
0.295 |
0.374 |
0.455 |
0.520 |
0.585 |
0.630 |
0.665 |
0.695 |
جداول ونمودارها و نتایج:
(1نتایج به دست آمده برای آزمایش اول(تنگستن):
الف)جدول داده های به دست آمده از آزمایش:
جدول 2
UH (µV) |
IB (A) |
B (T) |
406 |
0 |
0 |
405 |
5/0 |
118/0 |
404 |
1 |
200/0 |
403 |
5/1 |
295/0 |
402 |
2 |
374/0 |
402 |
5/2 |
455/0 |
401 |
3 |
520/0 |
401 |
5/3 |
585/0 |
401 |
4 |
630/0 |
نمودار UH vs IB:(IQ=5A)
|
نمودار B بر حسب UH:
ب) IB=4 A و IQ متغیر از صفر تا 5 آمپر
جدول 3
UH (µV) |
IQ (A) |
0 |
0 |
45 |
5/0 |
81 |
1 |
124 |
5/1 |
160 |
2 |
200 |
5/2 |
243 |
3 |
285 |
5/3 |
321 |
4 |
363 |
5/4 |
401 |
5 |
نمودار حاصل از
نتایج این آزمایش و محاسبه :
|
(2نتایج به دست آمده برای آزمایش دوم(مس):
الف)جدول داده های به دست آمده از آزمایش:
جدول 4 |
|
جدول 5 |
||
IB=4A , B=0/630T |
|
IB=3A , B=0/53T |
||
UH (µV) |
IQ (A) |
|
UH (µV) |
IQ (A) |
0 |
0 |
|
0 |
0 |
9 |
5/0 |
|
10 |
5/0 |
22 |
1 |
|
22 |
1 |
34 |
5/1 |
|
34 |
5/1 |
46 |
2 |
|
47 |
2 |
62 |
5/2 |
|
60 |
5/2 |
71 |
3 |
|
72 |
3 |
84 |
5/3 |
|
84 |
5/3 |
98 |
4 |
|
96 |
4 |
109 |
5/4 |
|
110 |
5/4 |
122 |
5 |
|
123 |
5 |
ب)نمودار UH vs IQ:(IB=4A)
|
ج)نمودار UH vs IQ:(IB=3A)
|
برای IQ=4 A:
برای IQ=5 A: